随着工艺制程升级，刻蚀机用量将持续提升。14nm制程所需刻蚀步骤为65次，7nm制程 所需刻蚀步骤高达140次，5nm制程所需刻蚀步骤进一步提升至160次。
而中微公司正是个中翘楚，公司针对一体化大马士革刻蚀工艺，开发了可调节电极间距的刻蚀机，在刻蚀过程中，反应腔的极板间距可动态调节，以同时满足通孔和沟槽刻蚀的不同工艺要求，公司还自主开发了极高深比刻蚀机。
当前市场普遍使用的DUV受光波长的限制，关键尺寸无法满足要求，必须采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，刻蚀机在整个芯片生产流程中占比极高，如果我们在刻蚀领域不断突破，就可以弥补光刻机的不足，在DUV上实现5nm制程。 6park.com